SiTime晶振公司長(zhǎng)期深耕MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)領(lǐng)域,憑借深厚的技術(shù)積累和持續(xù)的創(chuàng)新精神,在行業(yè)內(nèi)樹(shù)立了卓越的口碑.此次推出的TitanPlatform™系列諧振器,凝聚了SiTime頂尖的研發(fā)智慧,標(biāo)志著公司在定時(shí)解決方案上的又一次飛躍.該系列產(chǎn)品一經(jīng)亮相,便迅速吸引了全球電子行業(yè)的目光,成為眾人矚目的焦點(diǎn).

二,突破尺寸極限:引領(lǐng)小型化潮流

TitanPlatform™系列諧振器最令人驚嘆的特點(diǎn)之一,便是其突破性的尺寸.該系列采用了0.46x0.46毫米的芯片級(jí)封裝,如此微小的體積,相較傳統(tǒng)石英晶體器件實(shí)現(xiàn)了大幅的縮減.以常見(jiàn)的1210石英晶體器件和1008石英晶體器件為例,TitanPlatform™系列諧振器的PCB尺寸分別比它們小七倍和四倍.這一尺寸上的巨大優(yōu)勢(shì),對(duì)于可穿戴設(shè)備,物聯(lián)網(wǎng)微型傳感器等對(duì)空間極為敏感的電子產(chǎn)品而言,無(wú)疑是一場(chǎng)及時(shí)雨.它使得工程師們能夠進(jìn)一步縮小電路板的尺寸,為產(chǎn)品的小型化設(shè)計(jì)提供了更大的空間；或者將節(jié)省下來(lái)的寶貴空間重新利用,添加諸如AI/ML預(yù)測(cè)處理功能,更復(fù)雜的健康監(jiān)測(cè)模塊等,極大地拓展了產(chǎn)品的功能邊界.

三,卓越性能表現(xiàn):重新定義行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

穩(wěn)定性大幅提升:在穩(wěn)定性方面,TitanPlatform™系列諧振器展現(xiàn)出了碾壓傳統(tǒng)石英諧振器的實(shí)力.傳統(tǒng)石英諧振器在面對(duì)高溫或低溫環(huán)境時(shí),容易出現(xiàn)頻率漂移的問(wèn)題,這不僅會(huì)導(dǎo)致設(shè)備計(jì)時(shí)出現(xiàn)誤差,嚴(yán)重時(shí)甚至可能引發(fā)系統(tǒng)崩潰.與之形成鮮明對(duì)比的是,TitanPlatform™系列諧振器基于先進(jìn)的MEMS結(jié)構(gòu),通過(guò)精心優(yōu)化材料與制造工藝,將老化穩(wěn)定性提升至石英的5倍之多.更為出色的是,它能夠在-40℃至125℃的極端溫度范圍內(nèi)始終保持穩(wěn)定運(yùn)行,且使用壽命超過(guò)5年,為設(shè)備在各種惡劣環(huán)境下的可靠運(yùn)行提供了堅(jiān)實(shí)保障.

強(qiáng)大的抗沖擊與抗振性能:在實(shí)際使用過(guò)程中,電子設(shè)備難免會(huì)遭受各種形式的沖擊和振動(dòng),這對(duì)諧振器的可靠性提出了嚴(yán)峻考驗(yàn).TitanPlatform™系列諧振器在此方面表現(xiàn)卓越,其抗沖擊能力達(dá)到了石英的50倍,抗振性更是提升了30倍.這意味著,無(wú)論是手機(jī)不慎從高處跌落,還是運(yùn)動(dòng)手環(huán)在劇烈運(yùn)動(dòng)過(guò)程中頻繁晃動(dòng),TitanPlatform™系列諧振器都能夠從容應(yīng)對(duì),始終保持精準(zhǔn)計(jì)時(shí),有效避免了因諧振器故障而導(dǎo)致的設(shè)備"抽風(fēng)斷聯(lián)"等尷尬情況的發(fā)生.

功耗與效率優(yōu)勢(shì)顯著:在功耗和效率方面,TitanPlatform™系列諧振器同樣展現(xiàn)出了無(wú)可比擬的優(yōu)勢(shì).與傳統(tǒng)石英晶振解決方案相比,它能夠?qū)⒄袷幤麟娐饭慕档透哌_(dá)50%,同時(shí)將啟動(dòng)能耗降低三倍,極大地減少了設(shè)備的能源消耗.更為驚喜的是,TitanPlatform™系列諧振器的啟動(dòng)速度最高可達(dá)石英振蕩器的三倍,能夠快速進(jìn)入工作狀態(tài),有效提升了系統(tǒng)的響應(yīng)速度.這一優(yōu)勢(shì)在諸如射頻子系統(tǒng)等對(duì)占空比控制要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場(chǎng)景中,能夠通過(guò)更精確地控制設(shè)備的開(kāi)啟和關(guān)閉時(shí)間,實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)能耗的進(jìn)一步節(jié)省,為延長(zhǎng)設(shè)備續(xù)航時(shí)間發(fā)揮了重要作用.

四,兼容性創(chuàng)新:簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程

TitanPlatform™系列諧振器在兼容性方面的創(chuàng)新設(shè)計(jì),為工程師們帶來(lái)了極大的便利.它能夠與SoC(系統(tǒng)級(jí)芯片)和MCU(微控制器)中已有的振蕩器電路實(shí)現(xiàn)完美的電氣兼容.以往,SiTime的MEMS振蕩器通常采用專有諧振器搭配針對(duì)MEMS性能優(yōu)化的內(nèi)部電路,這在一定程度上限制了其應(yīng)用范圍.而TitanPlatform™系列諧振器則打破了這一傳統(tǒng)模式,其獨(dú)特的設(shè)計(jì)使其能夠與半導(dǎo)體供應(yīng)商最初為石英設(shè)計(jì)的振蕩器接口無(wú)縫對(duì)接.這一特性使得工程師們?cè)谶M(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí),可以直接將TitanPlatform™系列諧振器作為石英的替代品,無(wú)需對(duì)振蕩器級(jí)進(jìn)行繁瑣的重新設(shè)計(jì),從而節(jié)省了大量的時(shí)間和成本.不僅如此,工程師們還可以選擇將TitanPlatform™系列諧振器作為已知良好裸片與SoC或MCU共同封裝.當(dāng)TitanPlatform™系列諧振器與主機(jī)設(shè)備一起嵌入塑料封裝中時(shí),外部諧振器便可完全省去,這不僅大大簡(jiǎn)化了電路板的布局,減少了長(zhǎng)走線帶來(lái)的寄生效應(yīng),還能夠釋放原本用于諧振器連接的通用I/O引腳,為引腳數(shù)量受限的微控制器創(chuàng)造了額外的價(jià)值.

五,產(chǎn)品布局與市場(chǎng)展望

目前,TitanPlatform™系列諧振器的首發(fā)產(chǎn)品32MHz的SiT11100已正式提供量產(chǎn)樣品,廣大客戶可以率先體驗(yàn)到這款產(chǎn)品的卓越性能.與此同時(shí),SiTime還計(jì)劃于2025年12月開(kāi)始,陸續(xù)推出包括76.8MHz的SiT11101,38.4MHz的SiT11102,48MHz的SiT11103和40MHz的SiT11104等在內(nèi)的多款型號(hào),進(jìn)一步豐富產(chǎn)品陣容,滿足不同客戶的多樣化需求.為了幫助客戶更加便捷地評(píng)估和使用TitanPlatform™系列諧振器,SiTime還貼心地發(fā)布了SiT6400EB評(píng)估板.借助該評(píng)估板,客戶可以輕松地將TitanPlatform™系列諧振器替換到最初為1210或1612石英設(shè)備設(shè)計(jì)的封裝上,極大地加快了產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證流程.憑借其在尺寸,性能,功耗以及兼容性等方面的諸多優(yōu)勢(shì),TitanPlatform™系列諧振器有望在40億美元規(guī)模的諧振器市場(chǎng)中迅速占據(jù)一席之地,成為推動(dòng)行業(yè)技術(shù)進(jìn)步的重要力量.它的出現(xiàn),不僅為現(xiàn)有電子設(shè)備的性能提升和功能拓展提供了有力支撐,更為未來(lái)智能可穿戴設(shè)備,物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用晶振,5G通信等新興領(lǐng)域的創(chuàng)新發(fā)展注入了強(qiáng)大的動(dòng)力.我們有理由相信,隨著TitanPlatform™系列諧振器的廣泛應(yīng)用,電子設(shè)備的發(fā)展將迎來(lái)一個(gè)全新的時(shí)代,更加輕薄,穩(wěn)定,高效的產(chǎn)品將不斷涌現(xiàn),為人們的生活帶來(lái)更多的便利和驚喜.

SiTime全新TitanPlatform™系列諧振器定時(shí)技術(shù)領(lǐng)域的重大突破

ECS-2333-160-BN-TR	ECS晶振	ECS-2333	XO	16 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2033-250-BN	ECS晶振	ECS-2033	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2333-500-BN-TR	ECS晶振	ECS-2333	XO	50 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2018-270-BN	ECS晶振	ECS-2018	XO	27 MHz	HCMOS	1.8V	±50ppm
ECS-2018-240-BN-TR3	ECS晶振	ECS-2018	XO	24 MHz	HCMOS	1.8V	±50ppm
ECS-2033-500-BN	ECS晶振	ECS-2033	XO	50 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
ECS-3963-250-BN-TR	ECS晶振	ECS-3963-BN	XO	25 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2033-240-BN	ECS晶振	ECS-2033	XO	24 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2033-120-BN	ECS晶振	ECS-2033	XO	12 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
ECS-327MVATX-2-CN-TR3	ECS晶振	ECS-327MVATX	XO	32.768 kHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-327MVATX-3-CN-TR	ECS晶振	ECS-327MVATX	XO	32.768 kHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-3225MV-260-CN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	26 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±25ppm
ECS-3225MV-240-BN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	24 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±50ppm
ECS-2018-250-BN	ECS晶振	ECS-2018	XO	25 MHz	HCMOS	1.8V	±50ppm
ECS-3225MV-500-CN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	50 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±25ppm
ECS-3225MV-120-BN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	12 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±50ppm
ECS-3225MV-250-CN-TR3	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	25 MHz	HCMOS	1.8V ~ 3.3V	±25ppm
ECS-3225MV-160-BN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	16 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±50ppm
ECS-3225MV-500-BN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	50 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±50ppm
ECS-3225MV-160-CN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	16 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±25ppm
ECS-2520MV-160-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	16 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2520MV-250-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	25 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2520MV-250-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	25 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MV-240-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	24 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MV-120-BL-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	12 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-5032MV-250-CN-TR	ECS晶振	ECS-5032MV	XO	25 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2520MV-480-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	48 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MV-080-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	8 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2033-240-BN-TR3	ECS晶振	ECS-2033	XO	24 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2033-250-BN-TR3	ECS晶振	ECS-2033	XO	25 MHz	CMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2520MV-500-BL-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	50 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MV-480-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MV	XO	48 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-3225MV-250-CN-TR	ECS晶振	ECS-3225MV	XO	25 MHz	HCMOS	1.62V ~ 3.63V	±25ppm
ECS-5032MV-240-CN-TR	ECS晶振	ECS-5032MV	XO	24 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-3953M-480-B-TR	ECS晶振	ECS-3953M	XO	48 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-5032MV-200-CN-TR	ECS晶振	ECS-5032MV	XO	20 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2520MVQ-250-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVQ	XO	25 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-5032MV-500-CN-TR	ECS晶振	ECS-5032MV	XO	50 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-3963-040-BN-TR	ECS晶振	ECS-3963-BN	XO	4 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-2520MVLC-075-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVLC	XO	7.5728 MHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MVLC-081.92-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVLC	XO	8.192 MHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MVLC-120-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVLC	XO	12 MHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2520MVLC-271.2-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVLC	XO	27.12 MHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MVLC-049-BN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVLC	XO	4.9152 MHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±50ppm
ECS-2520MVLC-250-CN-TR	ECS晶振	ECS-2520MVLC	XO	25 MHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-3951M-160-B-TR	ECS晶振	ECS-3951M	XO	16 MHz	HCMOS	5V	±50ppm
ECS-5032MV-122.8-CN-TR	ECS晶振	ECS-5032MV	XO	12.288 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-327MVATX-7-CN-TR	ECS晶振	ECS-327MVATX	XO	32.768 kHz	CMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-5032MV-1250-CN-TR	ECS晶振	ECS-5032MV	XO	125 MHz	HCMOS	1.6V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-2018-143-BN	ECS晶振	ECS-2018	XO	14.31818 MHz	HCMOS	1.8V	±50ppm
ECS-327ATQMV-AS-TR	ECS晶振	ECS-327ATQMV	XO	32.768 kHz	CMOS	1.62V ~ 3.63V	±100ppm
ECS-3963-120-BN-TR	ECS晶振	ECS-3963-BN	XO	12 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-3225MVQ-1000-CN-TR	ECS晶振	ECS-3225MVQ	XO	100 MHz	HCMOS	1.7V ~ 3.6V	±25ppm
ECS-3953M-250-B-TR	ECS晶振	ECS-3953M	XO	25 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-3963-250-AU-TR	ECS晶振	ECS-3963	XO	25 MHz	HCMOS	3.3V	±100ppm
ECS-3953M-500-BN-TR	ECS晶振	ECS-3953M-BN	XO	50 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-3951M-160-BN-TR	ECS晶振	ECS-3951M-BN	XO	16 MHz	HCMOS	5V	±50ppm
ECS-3953M-250-BN-TR	ECS晶振	ECS-3953M-BN	XO	25 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-3953M-120-BN-TR	ECS晶振	ECS-3953M-BN	XO	12 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
ECS-3953M-018-BN-TR	ECS晶振	ECS-3953M-BN	XO	1.8432 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm

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